VISHAY/威世 SI3585CDV-T1-GE3 场效应管
发布时间： 2023/4/10 16:05:06 | 78 次阅读
封装 / 箱体: TSOP-6
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 2.1 A, 3.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 58 mOhms, 195 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, %2B 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV
Qg-栅极电荷: 3.2 nC, 6 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W, 1.4 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI3
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 9 ns, 28 ns
正向跨导 - 值: 1 S, 12 S
高度: 1.1 mm
长度: 3.05 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 16 ns, 37 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns, 25 ns
典型接通延迟时间: 15 ns, 16 ns
宽度: 1.65 mm
