ON/安森美 NTJD5121NT1G 场效应管_新闻动态_深圳市腾迅辉电子科技有限公司

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深圳市腾迅辉电子科技有限公司

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ON/安森美 NTJD5121NT1G 场效应管

发布时间： 2023/3/29 14:53:54 | 83 次阅读

类型 2个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 295mA
功率(Pd) 250mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.6Ω@10V,500mA
阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA

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